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随着芯片制程、架构和算力算法的精进，作为智能手机整个系统链条中的关键一环，存储器的性能和效能也在不断实现突破。新近推出的，专为智能手机定制的西部数据iNAND
MC EU551嵌入式闪存，便代表了高性能移动存储的一个新里程。
iNAND MC EU551基于第二代UFS
3.1平台解决方案，可更好的应对大数据量应用并实现更快速的传输，致力于满足多媒体应用的高性能需求。2021年8月5日的媒体沟通会上，西部数据公司分享并解读了iNAND
MC EU551的核心优势与应用价值。
3D NAND领域的领先设计水平
西部数据在3D NAND领域有着显著的竞争优势，其与Kioxia铠侠联合研发的第六代162层BiCS
3D闪存技术代表了当今的领先水平。它的特点是，相比上一代的112层，芯片尺寸减少了约40%，横向密度增加了约10%，在同样的300mm晶圆上可以多生产70%的容量，直接大幅降低了闪存成本。
当然，162层的堆栈层数并非业界最高。对此，西部数据中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳特别强调，存储性能和NAND的先进性并不只简单取决于层数，准确的定义是，层数和每层更高效率的乘数，才是更为可靠的衡量方式。她进一步表示，西部数据的技术创新和领先的闪存技术，正驱动着数据和存储性能不断向更高层级迈进。
显著的存储性能提升与应用价值
西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存正是在这样的情境下诞生。其基于第二代UFS
3.1规范，覆盖了128GB、256GB和512GB三大容量标准，融入了第六代iNAND SmartSLC缓存加速技术和Write
Booster写入加速技术，可实现令人惊叹的1550MB/s顺序写入速度，且容量满载时也不会掉速，堪称标志性的性能提升。
除了更高性能的NAND之外，iNAND MC EU551还采用了更高效的控制器和优化的固件设计，拥有双电压、热保护以及HBP2.0
（主机性能加速器）等诸多先进特性。数据表明，和上一代产品相比，iNAND MC EU551的随机读取性能提升约100%
，随机写入性能提升约40%，顺序写入性能提升约90%，顺序读取性能则提升了约30%。
那么，这些数字具体代表了什么？它们实际上覆盖了我们使用智能手机的方方面面。随机读取和随机写入衡量的是混合工作负载也就是多应用并行处理的速度，比如同时运行微信、office和支付宝。顺序写入有利于以更快的速度下载超大文件或者视频，还能有效提升拍照的连拍性能。iNAND
MC EU551拥有惊人的1550MB/s顺序写入速度，意味着其可大幅提升5G和Wi-Fi 6的下载速度，尤其是应对8K视频等富媒体文件时拥有更好的体验。
顺序读取性能则直接关系到应用的启动和加载速度。诸如游戏和视频处理等超大型的APP，内置了很多插件和特效，加载时要等上好一会，这时候顺序读取性能强的，就能以更快的速度打开和启动，从而减少等待时间。
结语
现阶段以及未来，随着游戏、高分辨率视频以及大数据的迅猛增长，智能手机越来越多地在充当工作站的职能，消费者对智能手机的要求几乎没有止境。而NAND
Flash存储器作为智能手机硬件体系中极为关键的一环，发挥着至关重要的作用。谁掌握了NAND Flash存储器的精髓，谁就能站在整个手机存储产业的制高点。
西部数据iNAND MC
EU551嵌入式闪存的推出，为智能手机厂商提供了一个具有高速传输性能、灵活的存储容量、可应对大数据量处理的绝佳存储解决方案。正如西部数据公司汽车、移动和新兴市场事业部高级副总裁Huibert
Verhoeven所言：“随着高速5G网络、创新传感器和人工智能的应用普及，我们对手机的平均容量和处理多媒体应用的高性能需求都在不断增长。通过新的UFS 3.1
iNAND解决方案，我们助力用户自如运行大数据量的应用并实现更快的传输，充分享受游戏、工作和学习的全新体验。” | 