以西部数据iNAND MC
EU551嵌入式闪存器件所使用的第六代162层3D闪存颗粒为例，它是西部数据与铠侠10年联合研发闪存颗粒的第15代产品，它没有按照传统八层交错式存储孔阵列设计，而是通过第六代创新架构将横向单元阵列密度提高了约10%，结合162层堆叠式垂直设计，使每个晶圆的制造位增加了70%；通过阵列CMOS电路布局和四路同时操作，性能可提高近2.4倍，读取延迟减少约10%，I/O性能也提高了约66%。
有了第六代162层3D闪存颗粒的基础，配合西部数据独立研发的控制器技术和固件设计，在满足JEDEC UFS
3.1规范要求的基础上，借助西部数据第七代Smart SLC Write Booster 技术，西部数据iNAND MC
EU551嵌入式闪存器件进一步融合JEDEC标准规范，实现了前所未有的竞争力。
文芳表示：西部数据iNAND MC
EU551嵌入式闪存器件是iNAND系列产品的新成员，十多年来，该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS
3.1解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。西部数据iNAND MC EU551 UFS
3.1嵌入式闪存器件样品现已开始供货。容量版本有128GB、256GB和512GB三种类型。
